Kawasaki, Japón- (entre/Business Wire)-Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) se ha lanzado “TPH2R70AR5“Un MOSFET de potencia de 100V N de 100V fabricado con U-MOS11-H, el proceso de última generación de Toshiba(1). El MOSFET se dirige a aplicaciones, como fuentes de alimentación de modo conmutado para equipos industriales utilizados en centros de datos y estaciones base de comunicaciones. Los envíos comienzan hoy.
La serie de 100V U-MOS11-H mejora en la resistencia de la fuente de drenaje (RDs (encendido)), Total Gate Charge (Qgramo) y la compensación entre ellos (rDs (encendido) × Qgramo) Entregado por el proceso de generación existente de Toshiba, la serie U-MOSX-H, reduciendo las pérdidas de conducción y potencia de conmutación.
TPH2R70AR5 ofrece aproximadamente un 8% más bajo RDs (encendido) y 37% más bajo Qgramo Contra TPH3R10AQM, un producto de la serie U-MOSX-H, más una mejora del 42% en RDs (encendido) × Qgramo. También logra el rendimiento del diodo del cuerpo de alta velocidad a través de la aplicación de la tecnología de control de por vida(2)que reduce la carga de recuperación inversa (QRR) y suprime el voltaje de espiga. QRR se mejora en aproximadamente el 38% y el RDs (encendido) × QRR También se mejora en aproximadamente el 43%. Estos líderes de la industria(3) Características de compensación(4)ambos rDs (encendido) × Qgramo y rDs (encendido) × QRRminimice la pérdida de energía, contribuyendo a una mayor eficiencia y densidad de potencia en los sistemas de suministro de energía. También adopta el paquete SOP Advance (N) y ofrece una excelente compatibilidad de montaje con los estándares de la industria.
Toshiba también ofrece herramientas de soporte de diseño de circuitos: el modelo G0 Spice, que verifica la función del circuito en poco tiempo; y el modelo de especias G2 altamente preciso que reproduce con precisión las características transitorias. Todos ahora están disponibles.
Toshiba continuará expandiendo su línea de MOSFET de baja pérdida que permiten fuentes de alimentación más eficientes y contribuye al consumo de energía de los equipos más bajos.
Notas:
(1) A partir de septiembre de 2025, entre las tecnologías de proceso de Toshiba para MOSFET de bajo voltaje. Encuesta de Toshiba.
(2) Tecnología de control de por vida: acortar intencionalmente la vida útil del portador utilizando un haz de iones para introducir defectos en el semiconductor mejora la velocidad de conmutación, lo que mejora la velocidad de recuperación del diodo y reduce el ruido.
(3) A partir de septiembre de 2025, compare con otros MOSFET de potencia de canales N 100V para equipos industriales. Encuesta de Toshiba.
(4) RDs (encendido)× Qgramo: 120mΩ ・ nc (typ), rDs (encendido)・ QRR: 127MΩ × NC (TYP)
Aplicaciones
- Suministros para equipos industriales utilizados en centros de datos y estaciones base de comunicaciones
- Suministros de alimentación de modo conmutado (convertidores DC-DC de alta eficiencia, etc.)
Características
- Baja resistencia a la fuente de drenaje: RDs (encendido)＝ 2.7MΩ (máx) (VGs= 10V, yoD= 50a, ta＝ 25 ° C)
- Baja carga de puerta total: Qgramo= 52nc (typ.) (VDd= 50V, VGs= 10V, yoD= 50a, ta＝ 25 ° C)
- Baja carga de recuperación inversa: QRR= 55nc (typ.) (IDR＝ 50A, VGs= 0v, -diDR/dt = 100a/μs, ta＝ 25 ° C)
Especificaciones principales
| (A menos que se especifique lo contrario, Ta= 25 ° C) | ||||
| Número de parte |
TPH2R70AR5 |
|||
| Absoluto máximo calificaciones |
Voltaje de origen de drenaje VDSS (V) | 100 | ||
| Corriente de drenaje (DC) ID (A) | Tdo= 25 ° C | 190 | ||
| Temperatura del canal Tpez (° C) | 175 | |||
| Eléctrico características |
De origen de drenaje resistencia RiñonalDs (encendido) (MΩ) |
VGs= 10V, yoD= 50A | Máximo | 2.7 |
| VGs= 8V, yoD＝ 50a | Máximo | 3.6 | ||
| Carga de puerta total Qgramo (Carolina del Norte) |
VDd= 50V, VGs= 10V, ID= 50A |
Típ. | 52 | |
| Interruptor de la puerta cargar qsudoeste (Carolina del Norte) |
Típ. | 17 | ||
| Carga de salida Qagotamiento (Carolina del Norte) |
VDd= 50V, VGs= 0V, F = 1MHz |
Típ. | 106 | |
| Capacitancia de entrada doinsuficiencia (PF) |
VDs= 50V, VGs= 0V, F = 1MHz |
Típ. | 4105 | |
| Recuperación inversa cargar qRR (Carolina del Norte) |
IDR＝ 50A, VGs= 0V,
-DeDR/dt = 100a/μs |
Típ. | 55 | |
| Paquete | Nombre | SOP AVEGRO (N) | ||
| Tamaño (mm) | Típ. | 5.15 × 6.1 | ||
| Verificación de muestra y disponibilidad |
Comprar en línea |
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